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图文示意
图1 不同时间合成的Bi0.4Sb1.6Te3的PXRD图案:(a)球磨 (b)等离子体辅助球磨 ;Bi0.4Sb1.6Te3粉末的SEM形貌:(c)球磨 (d)等离子体球磨
在等离子球磨(PBM)技术体系中,包含高活性离子、电子、激发态原子与分子以及自由基等在内的高能活性粒子,能够有效吸附于基体表面,通过表面活化作用显著提升粉末体系的化学活性,进而实现材料合成效率的大幅优化。以 p 型 Bi0.4Sb1.6Te3 材料的合成过程为例,相较于传统机械球磨(BM)工艺,等离子球磨技术可使目标纯相的合成周期缩短 14%,充分彰显其在材料制备效率上的显著优势。从热力学机制分析,等离子体对粉末表面的持续轰击能够在局部区域快速积聚能量,促使体系内形成瞬态高温微区,进而引发 "熔融 - 热爆 - 淬灭" 的非平衡态相变过程。该过程通过快速加热与急速冷却的协同作用,实现对粉末微观结构的精细调控。与传统机械球磨工艺相比,等离子球磨制备的粉末呈现出更为显著的细化特征,其平均粒径尺寸显著降低,颗粒尺寸分布更为均匀。从微观作用机制来看,高密度、高能量的等离子体束流对粉末表面产生强烈的物理轰击与热效应耦合作用,致使粉末表面发生局部蒸发、熔化等物理变化。当处于熔融态的粉末颗粒与周围低温颗粒发生碰撞时,会引发溅射效应,该效应通过调控材料的微观孔隙结构与晶界特征,有效抑制了声子传输,最终实现材料热导率的降低,为高性能热电材料的制备提供了新的技术路径。
图2 球磨和等离子体球磨的热压样品的EBSD:(a)球磨 (b)等离子球磨的EBSD反极图(IPF)贴图。(c)球磨和(d)等离子球磨的晶粒大小分布 (e)球磨和(f)等离子球磨的极点
经等离子球磨(PBM)处理的粉体在高压作用下,晶粒尺寸显著增大。对比相同高压条件下的传统机械球磨(BM)处理粉体,其平均晶粒尺寸为2.8μm,而PBM处理粉体的平均晶粒尺寸则可达4.6μm。
图3 (a) BM-Bi0.4Sb1.6Te3压制的和PBM-Bi0.4Sb1.6Te3+x(y=0,0.15,和0.3)压制的PXRD;图案断裂面的SEM照片:(b)BM-Bi0.4Sb1.6Te3压制的和(c,d,e)PBM-Bi0.4Sb1.6Te3+x压制的;(f) (e)放大细节。图片的右上角显示了材料的相对密度
等离子球磨(PBM)过程中,粉末表面的高度活化效应显著诱导晶粒内部形成纳米-微米尺度的分层孔隙结构,该结构可通过调控Te添加量实现孔隙密度与形态的优化。基于BET及TEM表征结果显示,这种独特的多孔微观组织显著增强了界面声子散射效率,依据Callaway理论,其晶格热导率较传统工艺降低约30%。值得注意的是,随着Te含量的增加,块体样品的相对密度呈现规律性下降趋势。结合DSC与原位XRD分析表明,过量Te在热压(HP)过程中发生液相迁移并排出体系,在材料内部形成大量微米级闭孔结构,该现象符合液相烧结的柯肯达尔效应理论,为调控材料热输运性能提供了新的研究视角。
图4 (a)迁移率的温度依赖性 (b)电导率 (c)塞贝克系数和(d)热压Bi0.4Sb1.6Te3+x(x=0、0.15和0.3)的功率因子
在材料体系中,碲(Te)的过量引入打破了原有晶格的平衡状态,促使更多的阳离子空位形成。这一结构变化直接推动空穴载流子浓度显著攀升,从初始的$2.0 times 10^{19} cm^{-3}$跃升至$2.6 times 10^{19} cm^{-3}$。与此同时,液态Te发挥出独特的物理效应,作为晶粒生长的“助推剂”,显著促进了材料内部晶粒尺寸的增长。配合PBM工艺对材料面内纹理的优化作用,二者协同提升了载流子在晶格中的迁移效率,使载流子迁移率实现了17%的增幅。 从电学性能参数来看,这种微观结构与载流子特性的改变带来了显著成效。材料电导率从BM- Bi0.4Sb1.6Te3体系的700 S/cm,大幅提升至PBM-Bi0.4Sb1.6Te3.31050S/cm的1050 S/cm。尤为值得关注的是,PBM-Bi0.4Sb1.6Te3.31050S/cm在300 K的标准测试温度下,展现出高达43.4μW·cm-1·K的优异功率因子,凸显出该材料在热电转换领域的潜在应用价值。
无机晶体生长与热电输运性能研究,宽温域热电材料与器件;热管理系统与热发电系统的仿真设计、测量;热电堆MEMS器件设计与制造。
等离子球磨机产品介绍
等离子球磨技术由华南理工大学朱敏教授团队研制,是将冷场放电等离子体引入到机械振动球磨中,利用近常压下气体在球磨罐中形成高能量的非平衡等离子体和机械球磨的协同作用,促进粉末的组织细化、合金化、活性激活、化合反应及加速原位气-固相反应等,能极大地提高球磨效率,显著降低球磨污染,并形成独特的结构而显著提高材料的性能。
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